证券研究报告 2024年11月19日 行业报告： 行业深度研究 专用设备 HBM：堆叠互联，方兴未艾 作者： 分析师 朱晔 SAC执业证书编号：S1110522080001 行业评级： 上次评级： 强于大市 （ 评级） 维持 强于大市 1 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 摘要 2 堆叠互联为HBM核心工艺 HBM制造流程主要包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节：3D堆叠方式允许芯片在垂直方向上连接，大大增加了单 位面积内的存储密度和带宽，每一层通过硅通孔和微凸点互连技术与其他层连接，互联技术尤为重要。 1）通孔：TSV系垂直堆叠核心工艺 深孔刻蚀设备：深孔刻蚀是 TSV 的关键工艺，目前首选技术是基于 Bosch 工艺的干法刻蚀； 铜填充设备：解决高深宽比微孔内的金属化问题，提高互联孔的可靠性，系整个 TSV 工艺里最核心、难度最大的工艺； CMP设备：TSV要求晶圆减薄至50μm甚至更薄，要使硅孔底部的铜暴露出来，为下一步的互连做准备。 2）键合：混合键合，未来可期 混合键合：混合键合互连方案满足3D内存堆栈和异构集成的极高互连密度需求，并且可以显著降低整体封装厚度、更 ...