文章核心观点 - 台积电公司(TSM)的2nm工艺技术取得重大突破,首次采用栅极全包围场效应晶体管(Gate-all-around FETs)技术 [1] - 新的N2工艺相比当前的N3E工艺,可以在相同功耗下提升10%至15%的性能,或在相同频率下降低25%至30%的功耗 [1] - 台积电2nm晶圆价格可能超过每片30,000美元,高于之前预期的25,000美元,而3nm晶圆价格为18,500美元至20,000美元,4/5nm晶圆价格为15,000美元至16,000美元 [1] 行业分析 - 台积电2nm工艺技术的突破代表着半导体制造工艺的持续进步,有利于提升芯片性能和能效 [1] - 晶圆价格的上涨反映了先进制程工艺的成本上升,对芯片制造企业的利润水平产生一定压力 [1] 公司分析 - 台积电作为全球最大的半导体代工企业,持续推进先进制程技术的研发和应用,巩固了其行业领先地位 [1] - 台积电2nm工艺的突破有助于进一步提升其产品竞争力,有利于公司未来的业务发展 [1] - 晶圆价格上涨可能会增加台积电的生产成本,但公司凭借技术优势和规模优势,有能力消化成本上升的影响 [1]