公司基本信息 - 公司股票在上海证券交易所科创板上市，股票简称为长光华芯，股票代码为688048[10] - 公司注册地址变更为苏州市高新区漓江路56号[10] - 公司办公地址位于苏州市高新区漓江路56号[10] - 公司选定的信息披露报纸名称为《中国证券报》、《证券时报》、《上海证券报》、《证券日报》[10] - 公司半年度报告备置地点为公司证券部[10] 财务报告声明 - 公司负责人闵大勇、主管会计工作负责人郭新刚及会计机构负责人郭新刚声明保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整[4] 利润分配预案 - 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案为无[5] 资金占用与担保情况 - 公司不存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况[6] - 公司不存在违反规定决策程序对外提供担保的情况[6] 董事保证报告真实性 - 公司不存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性[6] 财务数据 - 公司2023年上半年营业收入为142,133,562.90元，同比下降43.23%[1] - 归属于上市公司股东的净利润为-10,637,419.97元，同比下降117.97%[1] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-41,770,053.84元，同比下降200.17%[1] - 经营活动产生的现金流量净额为45,601,126.84元，同比变化不适用[1] - 归属于上市公司股东的净资产为3,184,159,007.75元，同比下降1.62%[1] - 总资产为3,444,492,842.72元，同比下降1.47%[1] - 基本每股收益为-0.0603元，同比下降112.10%[1] - 稀释每股收益为-0.0603元，同比下降112.10%[1] - 扣除非经常性损益后的基本每股收益为-0.2370元，同比下降167.42%[1] - 研发投入占营业收入的比例为38.54%，同比增加16.94个百分点[1] 主营业务与产品 - 公司主营业务聚焦于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品[17] - 公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线[17] - 公司产品可广泛应用于光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备等领域[17] - 公司核心产品为半导体激光芯片，并依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展[18] 销售与供应商管理 - 公司主要通过对接下游厂家及终端用户，国内市场以直销方式进行销售，海外市场以代理商经销商销售为主[20] - 公司制定了供应商管理制度，对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定[21] 研发流程与生产模式 - 公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础，确定研发方向，新产品从概念设计开始先后经历6个阶段满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段[23] - 公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式，覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程[25] - 公司实行“订单式”生产为主，结合“库存式”生产为辅的生产方式，以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求[25] 研发投入与成果 - 公司研发投入总额为54,771,654.25元，较上年同期增长1.26%[37] - 公司研发投入总额占营业收入比例为38.54%，较上年同期增加16.94个百分点[37] - 公司获得的发明专利累计数量为104个，本期新增19个[37] 技术与工艺 - 公司采用分布式载流子注入技术，提高半导体激光芯片的亮度，最高可达80MW/cm²sr[27] - 公司建立了GaAs、InP、GaN三大材料体系，以及边发射和面发射两大工艺技术和制造平台[26] - 公司通过优化设计，提高芯片的效率、功率、光束质量、电性能和可靠性[26] - 公司采用MOCVD外延生长技术，包括外延工艺和设备改进工艺，建立高铟组分应变量子阱外延生长动力学模型[28] - 公司建立步进式自动化光刻、程序化全自动湿法刻蚀、自动清洗等标准自动化工序，可进行2吋、3吋、6吋外延晶圆流片[29] - 公司采用大功率半导体激光器芯片封装技术，提高器件的偏振性和可靠性[32] - 公司利用高亮度光谱合束技术，通过光栅+外腔结构进行波长选择性反馈，提高光纤耦合模块的输出性能[33] 研发人员与薪酬 - 公司研发人员数量为122人，占公司总人数的24.70%[40] - 公司研发人员薪酬合计为2109.28万元[40] - 公司研发人员平均薪酬为17.29万元[40] 研发项目投入 - 公司预计总投资规模为166,000,000元，本期投入金额为54,771,654.25元，累计投入金额为106,357,959.38元[39] - 公司垂直腔面发射(VCSEL)半导体激光芯片的研发项目累计投入金额为28,219,644.76元[38] - 公司3-5μm中红外量子级联激光器的研发项目累计投入金额为16,771,182.08元[38] - 公司高功率半导体激光芯片的研发项目累计投入金额为45,675,984.35元[38] - 公司蓝绿光激光器的研发项目累计投入金额为5,779,141.88元[38] - 公司高功率巴条直接技术研发项目累计投入金额为4,633,215.53元[39] - 公司光纤耦合半导体激光器泵浦模块技术研发项目累计投入金额为5,278,790.78元[39] 产品推出与市场规模 - 公司推出最大功率超过66W的单管芯片，芯片条宽290μm，最大效率超过70%，工作效率超过63%[45] - 公司推出9XXnm 50W高功率半导体激光芯片，宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率大于等于62%，已实现大批量生产[45] - 全球VCSEL市场规模2022年为17亿美元，预计到2028年将达到45亿美元，2023-2028年间的复合年均增长率为17.4%[47] - 公司光通信产品为400G/800G超算数据中心互连光模块的核心器件，2025年高速光通信芯片市场规模有望达到43.40亿美元[48] - 公司推出1710nm直接半导体激光器，主要用于1mm以下透明/白色塑料的激光穿透焊，已在客户端批量应用[49] - 公司发布全