中微公司(688012) - 2024 Q2 - 季度财报
688012中微公司(688012)2024-08-22 17:24

财务业绩 - 2024年1-6月营业收入达到34.48亿元,同比增长36.46%[7] - 2024年1-6月新签订单47.0亿元,同比增长40.3%[8] - 2024年1-6月归属于上市公司股东的净利润为5.17亿元,同比减少48.48%,主要由于2023年出售部分拓荆科技股份产生税后净收益约4.06亿元[9] - 2024年1-6月研发投入9.70亿元,同比增长110.84%[30] - 公司上半年营业收入为34.48亿元,同比增长36.46%[85] - 刻蚀设备收入为26.98亿元,较上年同期增长约56.68%[88] - MOCVD设备收入为1.52亿元,较上年同期减少约49.04%[88] - 公司新产品LPCVD设备实现首台销售,收入0.28亿元[88] - 公司上半年新增订单47.0亿元,同比增长约40.3%[89] - 归属于上市公司股东的净利润为5.17亿元,较上年同期下降约48.48%[90] - 归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约4.83亿元,较上年同期减少0.36亿元[91] - 公司上半年研发投入9.70亿元,较上年同期增加约5.10亿元,同比大幅增长110.84%[91] 产品和技术 - 公司累计已有5,164台等离子体刻蚀和化学薄膜的反应台,在国内外131条生产线实现量产和大量重复性销售[22] - 等离子体刻蚀设备收入26.98亿元,同比增长56.68%;MOCVD设备收入1.52亿元,同比减少49.04%[7] - 最近两年新开发的LPCVD设备上半年新增订单1.68亿元,新产品开始启动放量[8] - 公司在研项目涵盖六类设备,20多个新设备的开发[9] - 公司在先进逻辑和存储芯片中关键ICP刻蚀工艺的高端ICP设备付运大幅提升[35] - 公司大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证,多款设备已在客户产线上展开验证[92,93] - 公司自主开发的具有大功率 400kHz 偏压射频的 Primo UD-RIE 设备已在生产线验证出具有刻蚀≥60:1 深宽比结构的量产能力[93] - 公司积极布局超低温刻蚀技术,在超低温静电吸盘和新型刻蚀气体研究上投入大量资源,积极储备更高深宽比结构(≥90:1)刻蚀的前卫技术[93] - 公司多款 ICP 设备在先进逻辑芯片、先进 DRAM 和 3D NAND 产线验证推进顺利并陆续取得客户批量订单[93] - 公司的 TSV 硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和 MEMS 器件生产[93] - 公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用,并已完成多家逻辑和存储客户的验证,取得了客户订单[94] - 公司 EPI 设备已顺利进入客户验证阶段,以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求[94] - 公司 Micro-LED 应用的专用 MOCVD 设备开发顺利,实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能,已付运样机至国内领先客户开展生产验证[95] - 公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单,已经在从 65 纳米到 5 纳米及更先进的各个技术结点大量量产[132] - 公司致力于提供超高深宽比掩膜(≥40:1)和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的全套解决方案[133,134] - 公司的 PRISMO A7®设备已在全球氮化镓基 LED MOCVD 市场中占据领先地位[137] - 公司的 PRISMO UniMax®配置了 785mm 大直径石墨托盘,可实现同时加工 164 片 4 英寸或 72 片 6 英寸外延晶片[139] - 公司的 PRISMO PD5®设备具有高灵活性,可实现 6 英寸与 8 英寸工艺的便捷切换[140] - 公司开发的用于Micro-LED应用的专用MOCVD设备实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能[140] - 公司正在开发用于碳化硅功率器件外延生产和下一代用于氮化镓功率器件制造的MOCVD设备[140] - 公司已经实现六种设备高效的研发交付及通过客户量产验证[141] - 公司开发的 CVD(化学气相沉积)钨设备、HAR(高深宽比)钨设备和具备三维填充能力的 ALD(原子层沉积)钨设备已通过关键存储客户端现场验证,并获得客户重复量产订单[141,142] - 公司自主设计开发的双台机金属钨系列设备具有优秀的生产率、化学品消耗低、阶梯覆盖率和填充能力,可满足先进逻辑器件和3D NAND存储器件的关键应用[143] - 公司新开发的 ALD 氮化钛设备产品性能达到国际先进水平,可满足逻辑及存储多道关键应用需求[143] - 公司获得"单项冠军"认定,主要产品为28/22/14/7纳米刻蚀机系列[145,146] - 公司在研项目包括用于存储器刻蚀的CCP刻蚀设备、先进逻辑电路的CCP刻蚀设备、Micro-LED应用的新型MOCVD设备、用于5-3纳米逻辑芯片制造的ICP刻蚀机、用于存储器芯