文章核心观点 - 公司推出了新一代650V和1200V SiC MOSFET产品系列G3F,具有最快的开关速度、最高的效率和最高的功率密度 [1][2][3][4][5] - G3F系列采用专有的"沟槽辅助平面"技术,性能优于竞争对手的沟槽MOSFET,同时具有更好的稳定性、可制造性和成本优势 [3][4] - G3F系列MOSFET可实现高达600kHz的开关频率,在CCM TPPFC系统中的硬开关性能指标比竞争对手提高40% [2][8] - G3F系列MOSFET可应用于AI数据中心电源、电动车充电器、太阳能/储能系统等高功率、高可靠性的应用场景 [1][6][7] 公司概况 - 公司是下一代功率半导体领域的领导者,专注于GaN和SiC技术,成立于2014年 [9] - 公司拥有250多项已授权或待授权专利,是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [9] - 公司的产品包括GaNFast功率IC和GeneSiC功率器件,应用于电动车、太阳能、数据中心等领域 [9] 产品特点 - G3F系列SiC MOSFET具有最快的开关速度、最高的效率和最高的功率密度 [1][2][3][4][5][6][7][8] - 采用专有的"沟槽辅助平面"技术,性能优于竞争对手的沟槽MOSFET,同时具有更好的稳定性、可制造性和成本优势 [3][4] - 可实现高达600kHz的开关频率,在CCM TPPFC系统中的硬开关性能指标比竞争对手提高40% [2][8] - 可应用于AI数据中心电源、电动车充电器、太阳能/储能系统等高功率、高可靠性的应用场景 [1][6][7]