如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 三星现在感到很慌。 并不是自家的三星手机卖不动了，而是在存储市场份额依旧保持领先的情况下，被另一家韩国厂商在技术上不断超越。 据韩媒消息，近日SK海力士宣布已开始量产全球首款321层1Tb TLC NAND闪存，该产品通过垂直堆叠321层存储单元， 每个单元可存储3比特数据，实现了1Tb的总容量，新产品的数据传输速度较上一代提升12%，读取性能提高13%，并且数 据读取的电力效率提升超过10%。 值得注意的是，这一进度已经快于业内NAND龙头三星，SK海力士相关人士表示："通过321层NAND，我们计划积极响应 人工智能（AI）低功耗高性能的新兴市场，逐步扩大产品应用范围。" 这一消息迅速在存储业界引发了热议，从DRAM到HBM，再到NAND，三星一再落后于海力士，这位巨头精心经营三十余 年的存储帝国，真的要面临一场崩塌了吗？ HBM落后 先是目前业界最热的HBM，毫无疑问，SK海力士无论是市场份额还是技术推进，都遥遥领先于三星。 HBM的历史可以追溯到十多年前，AMD在收购ATI后，开始研究更先进的显存技术，当时的GDDR陷入到了内存带宽和功 耗控制的瓶颈，而AMD ...