如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自interestingengineering，谢谢。 麻省理工学院的研究人员开发了一种新型3D晶体管，可能比当前的硅基晶体管更节能、更强大。 这种新型3D晶体管是使用超薄半导体材料设计的。 "这项技术有可能取代硅，因此可以用于实现硅当前具备的所有功能，但能效更高。" 麻省理工学院博士后、论文主要作者 Yanjie Shao说道。 这些晶体管利用量子力学在纳米尺度区域内实现低电压下的高性能。 它们的微小尺寸为超高密度、高性能和节能电子设备的新时代铺平了道路。 克服局限 硅晶体管作为电子开关使用，通过简单的电压施加，晶体管可以从关态切换到开态。开/关状态代表二进制数字，从而实现 计算。 晶体管的效率与其开关斜率相关。斜率越陡，能耗越低。这意味着晶体管可以快速开关，减少时间消耗，进而减少能量消 耗。 然而，一个称为玻尔兹曼限制的基本限制使得晶体管在室温下运行时需要最低电压。 这一限制在硅晶体管中普遍存在。 为了克服这一局限性，这些新型晶体管使用超薄半导体材料和量子力学来实现低电压下的高性能。 麻省理工的研究人员选择了锑化镓和砷化铟半导体材料。 此外，他们在设备 ...