ACM Research Announces Major Performance Breakthrough for Ultra C Tahoe Cleaning Tool for Front-End Semiconductor Manufacturing
ACMAECOM(ACM) GlobeNewswire News Room·2024-11-07 17:50

核心观点 - ACM Research, Inc.宣布其旗舰产品Ultra C Tahoe清洗工具取得重大性能突破以满足先进节点技术要求相关情况[1] Ultra C Tahoe性能突破相关 - Ultra C Tahoe在中低温度硫酸过氧化氢混合(SPM)工艺上实现独立单晶圆清洗工具的性能 其混合架构结合批处理晶圆和单晶圆清洗室 可减少多达75%的化学药品消耗 仅硫酸一项每年可节省高达50万美元成本 还有环境和成本效益[2] - Ultra C Tahoe平台的先进清洗能力在26nm处平均颗粒数少于6个 能满足先进节点制造的严格要求 还能去除1x nm颗粒[5] - 升级后的25槽台模块(之前为13槽)和9个单晶圆腔室(从8个升级)每小时可处理超过200个晶圆 与12腔室SPM系统的产能相当[5] - 硫酸消耗量减少多达75% 符合环境法规和可持续发展目标 降低高产量制造商成本[5] - 具备超过30个生产层的资格 包括轻掺杂漏极(LDD)和源极/漏极(SD)等关键回路 还有更多层和应用正在开发中[5] - 可选配置包括新的喷射喷雾技术 ACM的专利SAPS/TEBO技术和HOT IPA干燥技术 增加工具在多个工艺应用中的多功能性[5] 市场相关 - 公司认为Ultra C Tahoe有助于客户增加先进AI芯片产量且对环境影响小[3] - 公司认为Ultra C Tahoe是ACM创新和世界级研发团队卓越的又一例子 有望在SPM市场中占据市场份额 特别是中低温应用 约占整个清洁市场的20%[4] - 升级后的Ultra C Tahoe已在中国内地的几个大批量客户工厂投入生产 其他逻辑和存储客户正在评估该工具 预计到2024年底将交付更多生产单元[4] 公司信息相关 - ACM开发 制造和销售用于单晶圆或批量湿法清洗 电镀 无应力抛光 垂直炉工艺 Track和PECVD的半导体工艺设备 致力于提供定制化 高性能 具有成本效益的工艺解决方案[9]