文章核心观点 公司推出了新一代高功率GaNSafe系列功率半导体器件,采用TOLT封装提升了热散发性能,可应用于AI数据中心、太阳能/储能和工业等领域 [1][2][3] 关键要点总结 产品特性 - 集成控制、驱动、检测和关键保护功能,提供前所未有的可靠性和稳健性 [2] - 具有超快短路保护(最大延迟350ns)、2kV静电保护、消除负极栅驱动、可编程斜率控制等特性 [2] - 采用4引脚设计,可像离散GaN FET一样使用,无需VCC引脚 [2] - TOLT封装通过顶部散热提升了热散发性能,降低工作温度,提高电流承载能力,提升系统功率密度、效率和可靠性 [2][3] 应用范围 - 适用于1kW至22kW的应用,提供25-98mΩ的RDS(ON)MAX选择 [3] - 可应用于数据中心电源和电动车板载充电器等系统 [3] 公司情况 - 公司成立10年,是业界唯一专注于新一代功率半导体的公司 [4] - 拥有250多项专利,是业界首家提供20年GaNFast质保的半导体公司,也是首家获得碳中和认证的半导体公司 [4]