如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自eenews，谢谢。 意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标 杆。 新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引逆变器进行了优化，这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。 该公司计划在 2027 年之前推出更多先进的 SiC 技术创新，以致力于创新。 与前几代产品相比，第四代 MOSFET 的导通电阻（RDS(on)）显著降低，从而最大程度地降低了传导损耗，并提高了整体 系统效率。它们提供更快的开关速度，从而降低开关损耗，这对于高频应用至关重要，并可实现更紧凑、更高效的电源转 换器。第四代技术在动态反向偏置 (DRB) 条件下提供了额外的稳健性，超过了 AQG324 汽车标准，确保在恶劣条件下可 靠运行。 第四代产品继续提供出色的 RDS(on) x 芯片面积性能系数，以确保高电流处理能力和最小损耗。第四代器件的平均芯片尺 寸比第三代器件小 12-15%，以 25 摄氏度时的 RDS(on) 为基准，可实现更紧凑的电源转换器设计，节省宝贵的空间，并 降低系统 ...