近日，高价值模拟半导体代工解决方案的领先厂商 Tower Semiconductor宣布，基于其先进的 300mm RFSOI 技术的 Wi-Fi7 射频前端模块 (FEM) 器件已正式投产。通过与 Broadcom 公司（纳斯达克股 票代码：AVGO）的合作，Tower实现了将Wi-Fi FEM 器件集成在单个 RFSOI 芯片上。与现有的非 SOI 技术相比，这一创新解决方案具有卓越的性能和效率，为先进移动应用市场树立了新的标准。 "凭借 Tower RFSOI 技术的独特优势，Broadcom 为 Wi-Fi7 移动应用市场设计并推出了一系列紧凑型 高性能 FEM。" Broadcom 无线通信与连接市场副总裁 Vijay Nagarajan 表示。 "这些 FEM 是我们 与 Tower 长期合作的成果，是专门为移动 Wi-Fi 应用对于尺寸、能效的严格要求而量身定制的。" "我们很高兴能与 Broadcom 这样的市场领导者合作，扩展 Tower 领先的 RFSOI 平台，实现集成前端 模块设计的创新架构选项，包括一些用于LNA 和功率放大器的特殊器件，以及用于缩小逻辑面积的高 栅密度标准单元。" ...