据国家电力投资集团有限公司（以下简称"国家电投"）9月10日消息，近日，国家电投所属国电投核力 创芯（无锡）科技有限公司（以下简称"核力创芯"）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照） 研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。 国家电投表示，这标志着我国已全面掌握 功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺 ，补全了我国半 导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产化奠定了基础。 ▲工程师进行晶圆离子注入生产 据国家电投介绍， 氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节 ，在集成电路、功率半导 体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用，该领域核心技术及装备工艺的缺 失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯 的技术突破，打破了国外垄断。 核力创芯在遭遇外国关键技术及装备封锁的不利条件下，坚持自力更生，自主创新，打造新质生产 力，在不到三年的时间里，突破多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术和100%装备国产化，建成 了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。首批交付的芯片产品经历了累计近万小时 ...