如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源： 内容编译自skhynix，谢谢。 在日新月异的半导体行业中，是什么推动了进步？发明创新无疑是进步的重要驱动力，然而重新构建现有技术的创新应 用，同样能够打破进步壁垒。SK海力士正是通过这种方式，在移动端DRAM领域取得了巨大进展。 在半导体行业不懈努力追求移动端DRAM持续微细化之际，SK海力士已凭借全球首次将HKMG（High-K Metal Gate）工 艺成功引入移动端DRAM的举措，取得了重大技术突破。通过对成熟的HKMG工艺进行再创新性应用，公司成功研发出新 一代LPDDR2产品，并树立了产品性能新标杆。 本期文章将聚焦 SK海力士对HKMG工艺的突破性应用，以及回顾当时将此工艺整合到移动端DRAM时所克服的挑战。 使命：解决功耗问题，持续推进移动端DRAM微细化 随着端侧AI（On-Device AI）和其他应用的不断发展，对移动设备性能的要求也日益提高。因此，移动端DRAM必须不断 进行微细化改进，以实现更快的处理速度，并在保持低功耗的同时支持相关应用。然而，通过传统工艺不断缩小移动端 DRAM晶体管的尺寸存在一定的技术问题。 DRAM通常由存储 ...