Micron Announces Volume Production of Ninth-Generation NAND Flash Technology
Micron Technology(MU) Newsfilter·2024-07-30 21:03
文章核心观点 - 微创科技公司宣布开始出货第9代(G9)TLC NAND闪存,成为行业首家实现此里程碑 [1] - 微创G9 NAND具有业界最高的3.6GB/s传输速度,为人工智能和其他数据密集型应用提供卓越的性能 [1][3] - 微创G9 NAND密度比竞争对手高出73%,可提供更紧凑高效的存储解决方案 [2] 技术创新与性能优势 - 微创G9 NAND采用业界最快的NAND I/O速度,数据传输速度比现有NAND快50% [3] - 微创G9 NAND每颗芯片的写入带宽提高99%,读取带宽提高88%,相比现有竞争对手产品 [3] - 微创G9 NAND尺寸更小,使用空间减少28%,为多种应用场景提供更大的设计灵活性 [4] 产品应用与性能表现 - 微创2650 NVMe SSD采用G9 NAND,在PCMark 10基准测试中的得分比竞争对手高38% [6][7] - 微创2650 NVMe SSD在顺序读取、顺序写入、随机读取和随机写入等方面都大幅领先竞争对手 [9] - 微创G9 NAND已应用于微创2650 SSD,并正在与客户进行组件和消费级Crucial SSD的认证 [10]