Micron MRDIMM Innovations Deliver Highest Performance and Lowest Latency Main Memory to Accelerate Data Center Workloads
MUMicron Technology(MU) Newsfilter·2024-07-16 21:02

文章核心观点 - 公司推出了新一代的多路复用排名双列直插内存模块(MRDIMM),可以为客户提供更高的带宽、更大的容量和更低的延迟,从而加速内存密集型的虚拟化多租户、高性能计算和AI数据中心工作负载[1][2][3] - MRDIMM采用DDR5标准,可以提供高达39%的有效内存带宽提升、15%以上的总线效率改善以及高达40%的延迟改善,相比传统的TSV RDIMM具有明显优势[4] - MRDIMM提供了从32GB到256GB的广泛容量范围,并有标准和加高两种形式因子,可以满足高性能1U和2U服务器的需求,同时改善了热设计,可以降低DRAM温度高达20摄氏度[5] - 公司与英特尔密切合作,确保MRDIMM可以无缝集成到现有的服务器基础设施中,并能够顺利过渡到未来的计算平台[6][7] - 公司表示未来几代MRDIMM将继续提供高达45%的内存带宽改善[13] 行业分析 - 随着处理器和GPU供应商提供了指数级增长的核心数量,内存带宽的需求也呈指数级增长,MRDIMM有助于缩小这一差距,满足AI推理、AI重训练以及众多高性能计算工作负载的需求[7] - 公司与行业领先厂商如联想密切合作,致力于为客户提供平衡、高性能和可持续的技术解决方案[7] - 公司表示MRDIMM可以为数据中心带来前所未有的总拥有成本(TCO)优势[5] 公司概况 - 公司是创新存储解决方案的行业领导者,通过自主研发的Micron和Crucial品牌产品,为数据经济、人工智能和计算密集型应用提供支持[8] - 公司拥有卓越的技术领导力、制造和运营能力,致力于为客户提供高性能的DRAM、NAND和NOR存储产品[8]