Texas Instruments expands internal manufacturing for gallium nitride (GaN) semiconductors, quadrupling capacity
TI(TXN) Prnewswire·2024-10-24 21:30
文章核心观点 - 公司在美国和日本的工厂内部生产的GaN功率半导体产品已经量产并可供应用 [1][2][3] - 公司通过在日本新建工厂,将内部GaN制造能力提高了4倍 [1][2] - 公司拥有最广泛的集成GaN功率半导体产品组合,可以为客户提供更高能效、可靠性和功率密度的终端产品 [2][3] - 公司已成功开发了在300毫米晶圆上制造GaN的工艺,为未来扩大产能做好准备 [5][6] 公司概况 - 公司是一家全球性半导体公司,专注于设计、制造和销售模拟和嵌入式处理芯片 [7] - 公司致力于通过半导体技术创新,使电子产品更加可靠、更加实惠和更加节能 [7] 技术优势 - GaN是一种相比硅具有更高能效、开关速度、功率密度和高温高压性能的半导体材料 [2][3] - 公司的专有GaN制造工艺和可靠性测试,使其GaN芯片具有更高的性能和安全性 [3][4] - 公司采用的先进制造设备,可以生产出更小更高性能的GaN芯片,同时减少了制造过程中的资源消耗 [4] 未来发展 - 公司将进一步扩大GaN芯片的电压范围,从900伏开始,以满足机器人、可再生能源和服务器电源等应用的需求 [5] - 公司已成功开发了在300毫米晶圆上制造GaN的工艺,为未来扩大产能做好准备 [6]